RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
42
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2326
2886
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link