RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
76
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
2,978.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
7.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
1718
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link