RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2434
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link