RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
77
Autour de -120% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2434
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link