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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
57
Autour de 56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
57
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2213
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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