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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
57
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
57
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2213
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
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