RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3384
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link