RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
75
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3170
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link