RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
75
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3170
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link