RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2616
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link