RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
34
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2616
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link