RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2616
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link