RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2847
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link