Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,036.1 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    37 left arrow 75
    Около -103% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 6400
    Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    75 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,986.4 left arrow 16.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,036.1 left arrow 13.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    714 left arrow 3170
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения