RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
75
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
3170
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link