RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
71
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1956
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link