RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
72
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
1728
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link