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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
66
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2852
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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