RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около -175% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2852
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link