RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
56
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
3207
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link