RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
70
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
3,071.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
6.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
1832
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link