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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
70
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.6
3,071.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
70
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,372.7
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
3,071.4
6.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
1832
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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