RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
56
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
2641
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link