RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Gesamtnote
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3023
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link