RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
58
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
6400
Rund um 2.63 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
9.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
16800
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2318
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Inmos + 256MB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link