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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Inmos + 256MB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Inmos + 256MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
58
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
16800
6400
En 2.63 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
16800
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2318
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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