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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Inmos + 256MB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
6400
左右 2.63 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,241.0
11.5
写入速度,GB/s
1,950.7
9.1
内存带宽,mbps
6400
16800
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
651
2318
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Inmos + 256MB
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Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
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