RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Inmos + 256MB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Inmos + 256MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
16800
6400
Wokół strony 2.63 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
16800
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2318
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Inmos + 256MB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link