RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
56
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
2379
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link