RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
47
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2640
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link