RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
47
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2640
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link