Porównanie pamięci RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Wynik ogólny

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 47

Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16.1 14

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.1 8.4

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2764 2640

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns