RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
45
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2679
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link