RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
52
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
17.5
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
3936
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link