RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
45
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2808
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link