RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
45
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
2808
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link