RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 26
    Около 8% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    18.9 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.9 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 18.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 13.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3437

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
модули RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
модули RAM
Mushkin 994083 4GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
модули RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
модули RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
модули RAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
модули RAM