RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3437
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link