RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3437
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link