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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
45
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
37
Velocità di lettura, GB/s
11.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2808
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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