RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
52
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
13.3
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
3238
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link