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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
37
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
37
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2409
3189
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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