RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
AMD R538G1601U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
37
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
37
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2409
3189
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link