Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R538G1601U2S 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Puntuación global
star star star star star
AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    19 left arrow 37
    En -95% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18.4 left arrow 14.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.3 left arrow 9.6
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 19
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.6 left arrow 18.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 12.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2409 left arrow 3189
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones