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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Compara
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
37
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
37
19
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2409
3189
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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