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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2409
2436
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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