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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Confronto
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
14.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2409
2436
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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