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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
14.6
16.0
写入速度,GB/s
9.6
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2409
2436
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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