RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3909
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Inmos + 256MB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link