RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
52
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
9.9
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
2427
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link