A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Punteggio complessivo
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 14.6
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 52
    Intorno -108% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.9 left arrow 1,145.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 4200
    Intorno 4.57 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    52 left arrow 25
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,614.5 left arrow 14.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,145.9 left arrow 9.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    409 left arrow 2427
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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