Confronto tra le RAM Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Punteggio complessivo

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

17.7 14.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.8 9.9

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 27

Intorno -8% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3152 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns