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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Comparez
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Note globale
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de -8% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
25
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.8
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3152
2427
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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