Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Puntuación global
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.7 left arrow 14.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.8 left arrow 9.9
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 27
    En -8% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 25
  • Velocidad de lectura, GB/s
    17.7 left arrow 14.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.8 left arrow 9.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    3152 left arrow 2427
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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