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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3152
2427
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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